Normal view
MARC view
Влияние Г-X рассеяния на гетерограницах GaAs (001) туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111) ВАХ резонансно-туннельных структур А. А. Воронков
Material type: ArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | туннелирование | вольт-амперная характеристика | резонансно-туннельные эффекты | гетероструктуры | труды ученых ТГУ In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 85-87No physical items for this record
Библиогр.: 6 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.