Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция А. И. Грибенюков, С. Н. Подзывалов, А. Н. Солдатов [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): лазеры на самоограниченных переходах | дефектоскопы | монокристаллыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Квантовая электроника Т. 48, № 5. С. 491-494Abstract: Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение излучения лазера на парах стронция с длиной волны 6.45 мкм позволяет исследовать неоднородности в крупноразмерных образцах ZnGeP2. Рассмотрена возможность создания проекционного дефектоскопа для мониторинга развития процесса пробоя монокристалла ZnGeP2.Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение излучения лазера на парах стронция с длиной волны 6.45 мкм позволяет исследовать неоднородности в крупноразмерных образцах ZnGeP2. Рассмотрена возможность создания проекционного дефектоскопа для мониторинга развития процесса пробоя монокристалла ZnGeP2.
There are no comments on this title.