Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. В. Копьев
Material type:
ArticleSubject(s): нитриды галлия | нитриды индия | квантовые ямы | внутренняя квантовая эффективность | фотолюминесценция | туннелирование | Оже-рекомбинацияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 61, № 2. С. 8-11Abstract: Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum Efficiency, IQE) фотолюминесценции. Показано, что уменьшение толщины барьерных слоев GaN от 15 до 3 нм приводит к увеличению максимального значения IQE и сдвигу максимума в область б о льших мощностей накачки. Полученный результат объясняется с учетом уменьшения темпа оже-рекомбинации вследствие более равномерного распределения носителей заряда по активной области структур с толщиной барьеров 3 нм.
Библиогр.: 11 назв.
Ограниченный доступ
Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum Efficiency, IQE) фотолюминесценции. Показано, что уменьшение толщины барьерных слоев GaN от 15 до 3 нм приводит к увеличению максимального значения IQE и сдвигу максимума в область б о льших мощностей накачки. Полученный результат объясняется с учетом уменьшения темпа оже-рекомбинации вследствие более равномерного распределения носителей заряда по активной области структур с толщиной барьеров 3 нм.
There are no comments on this title.