Normal view
MARC view
Исследование влияния основных параметров эпитаксиального роста на свойства гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge В. Ю. Серохвостов, А. А. Пищагин
Material type:
ArticleSubject(s): молекулярно-лучевая эпитаксия | эпитаксиальные слои | наноструктурыGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г С. 97-99
No physical items for this record
Библиогр.: 2 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.