Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления Д. И. Засухин, Д. Д. Каримбаев, А. П. Коханенко
Material type: ArticleSubject(s): шероховатость поверхности | химическое травление | нитрид галлия | морфология поверхностиGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 10/3. С. 147-149Abstract: Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей поверхности. В данной работе предлагается использование метода жидкостного химического травления в смешанном растворе гидроксида калия KOH и пероксодисульфата калия K2S2O8 для формирования морфологии на поверхности n-GaN, после лазерного отделения сапфировой подложки. В результате на поверхности формируются конусы размером 1–1.5 мкм. Определена зависимость морфологии поверхности от концентрации раствора и времени травления.Библиогр.: 7 назв.
Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей поверхности. В данной работе предлагается использование метода жидкостного химического травления в смешанном растворе гидроксида калия KOH и пероксодисульфата калия K2S2O8 для формирования морфологии на поверхности n-GaN, после лазерного отделения сапфировой подложки. В результате на поверхности формируются конусы размером 1–1.5 мкм. Определена зависимость морфологии поверхности от концентрации раствора и времени травления.
There are no comments on this title.