Normal view
MARC view
Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh
Material type: ArticleOther title: Вольт-фарадные характеристики CdHgTe МДП-структур с одиночными квантовыми ямами на основе HgTe [Parallel title]Subject(s): МДП-структуры | узкозонные полупроводники | квантовые ямы | физика полупроводников | кадмиевый теллурид ртути | адмиттансGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2 Т. 2. С. 735-736No physical items for this record
Библиогр.: 6 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.