Normal view
MARC view
Исследование методом атомно-силовой микроскопии влияния технологических обработок на состояние поверхности GaAs (100) Т. С. Тюхрин
Material type:
ArticleSubject(s): физика полупроводников | физика диэлектриков | атомно-силовая микроскопия | труды ученых ТГУ
In:
Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, Россия С. 229-232
No physical items for this record
Библиогр.: 5 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.