Normal view
MARC view
Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др.
Material type: ArticleSubject(s): молекулярно-лучевая эпитаксия | квантовые ямы | морфология | эпитаксиальные пленки | рентгеновская дифрактометрия | фотолюминесценцияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 3. С. 68-72No physical items for this record
Библиогр.: 11 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.