Normal view
MARC view
Исследование структуры и морфологии поверхности GaAs(100) при вакуумном отжиге методами эллипсометрии и дифракции быстрых электронов А. В. Васев, М. А. Путято, В. В. Преображенский
Material type:
ArticleSubject(s): Эллипсометрия | отжиг | дифракция
In:
Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 223-226
No physical items for this record
Библиогр.: 7 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.