Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Image from Google Jackets
Normal view MARC view

Влияние условий роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Т. А. Шилова, В. А. Новиков, Б. Р. Семягин, Д. Н. Щеглов

Contributor(s): Шилова, Т. А | Новиков, Владимир Александрович | Семягин, Борис Рэмович | Щеглов, Д. НMaterial type: ArticleArticleSubject(s): физика полупроводников | физика диэлектриков | труды ученых ТГУ | эпитаксиальные слои | молекулярно-лучевая эпитаксия In: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г С. 109-110
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

There are no comments on this title.

to post a comment.