Normal view
MARC view
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение) Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10
Material type: TextPublication details: Томск 1999Description: 35 сSubject(s): Физика полупроводников и диэлектриков | авторефераты диссертацийItem type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище-11 | Спецфонд 1-672107к 53 (Browse shelf(Opens below)) | 1 | Available | 13820000091665 |
Browsing Научная библиотека ТГУ shelves, Shelving location: Книгохранилище-11 Close shelf browser (Hides shelf browser)
Библиогр.: с. 29-35
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.