Normal view
MARC view
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение) Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10
Material type:
TextPublication details: Томск 1999Description: 35 сSubject(s): Физика полупроводников и диэлектриков | авторефераты диссертаций
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище-11 | Спецфонд 1-672107к 53 (Browse shelf(Opens below)) | 1 | Available | 13820000091665 |
Библиогр.: с. 29-35
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.