Normal view
MARC view
Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 науч. рук. Ивонин И. В. ; Сибирский физико-технический ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те
Material type: TextPublication details: Томск б. и. 2001Description: 184 л. илContent type: Текст Media type: разные средства доступа Subject(s): физика полупроводников | диссертации | полупроводники | тонкие пленки | методы исследования | поверхности полупроводников | внутренняя структура | гетероэпитаксия | гетероструктуры | газофазовая эпитаксия | молекулярно-лучевая эпитаксия | ростовая поверхность | фазовые неоднородности | дислокации | поверхностная диффузияGenre/Form: диссертацииOnline resources: Click here to access onlineItem type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 1-876961к (Browse shelf(Opens below)) | 1 | Available | 13820000352044 |
Browsing Научная библиотека ТГУ shelves, Shelving location: Книгохранилище Close shelf browser (Hides shelf browser)
Библиогр.: с. 162-184
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.