Normal view
MARC view
Effects of sapphire substrate orientation on Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy using α-Cr2O3 buffers (Record no. 997708)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02560nab a2200457 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha000997708 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230310171314.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 230307|2022 enk s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1088/1361-6463/ac962f |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha000997708 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Effects of sapphire substrate orientation on Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy using α-Cr2O3 buffers |
| Ответственность | A. Polyakov, V. I. Nikolaev, S. I. Stepanov [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Heavily Sn-doped films of α-Ga2O3 were grown by halide vapor phase epitaxy (HVPE) on basal plane c-sapphire and on (10-12) r-sapphire substrates with and without α-Cr2O3 thin buffers prepared by magnetron sputtering and annealing in air at 500 °C for 3 h. For both substrate orientations, the use of α-Cr2O3 buffers led to three major effects. The first was a substantial decrease of the half-width of the symmetric and asymmetric x-ray reflections. The second was an order of magnitude decrease of the net donor concentration produced by flowing the same amounts of Sn into the reactor. Third, there was a reduction in the concentration of the major electron trap in the films near Ec − 1 eV by more than a factor of two. These results show the major influence of sapphire substrate orientation on the electrical and structural properties of α-Ga2O3 grown by HVPE. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | газофазная эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | галогениды |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | сапфировая подложка |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 878220 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Nikolaev, Vladimir I. |
| 9 (RLIN) | 802460 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Polyakov, Alexander |
| 9 (RLIN) | 877365 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Stepanov, Sergey I. |
| 9 (RLIN) | 802461 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Almaev, Aleksei V. |
| 9 (RLIN) | 407941 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Pechnikov, Aleksei I. |
| 9 (RLIN) | 802462 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakimov, Eugene |
| 9 (RLIN) | 877368 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kushnarev, Bogdan O. |
| 9 (RLIN) | 802463 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Shchemerov, Ivan |
| 9 (RLIN) | 877369 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Scheglov, Mikhail P. |
| 9 (RLIN) | 811517 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Chernykh, Alexey |
| 9 (RLIN) | 877370 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Vasilev, Anton |
| 9 (RLIN) | 877371 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kochkova, Anastasia |
| 9 (RLIN) | 877367 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Guzilova, Lyubov I. |
| 9 (RLIN) | 878221 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Pearton, Stephen J. |
| 9 (RLIN) | 318412 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of physics D: Applied physics |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Vol. 55, № 49. P. 495102 |
| ISSN | 0022-3727 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997708">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997708</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 997708 |
No items available.