Normal view
MARC view
Gas sensors based on pseudohexagonal phase of gallium oxide (Record no. 898835)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02568nab a2200385 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | koha000898835 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230228174328.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 220901|2022 gw s a eng d |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1002/pssb.202100306 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | koha000898835 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Gas sensors based on pseudohexagonal phase of gallium oxide |
Ответственность | A. V. Almaev, V. I. Nikolaev, P. Butenko [et al.] |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 57 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | The electrical conductivity of pseudohexagonal ε(κ)-Ga2O3 films under different ambient gases (H2, NO2, O2, and CO) is studied in a range of temperatures from 400 to 550 °C. The exposure of ε(κ)-Ga2O3 to reducing gases such as H2 and CO results in a reversible increase in current and conductance. The exposure to the oxidizing gases such as NO2 and O2 has the opposite effect. The maximum response to reducing gases (H2 and CO) is observed at 500 °C and to oxidizing gases at 550 and 450 °C for NO2 and O2, respectively. The highest sensitivity to H2 is achieved at low applied voltages (≤7.9 V). In contrast, the highest sensitivity to NO2 is observed at high applied voltages. The response and recovery times and temporal drift of ε(κ)-Ga2O3 characteristics under different ambient are estimated. Polycrystalline ε(κ)-Ga2O3 exhibits the semiconducting mechanism of electron transport at high temperatures. A qualitative model of the gas-sensing effect based on the modulation of electron concentration near the surface region of ε(κ)-Ga2O3 due to the chemisorption of gas molecules is described. Tin doping of ε(κ)-Ga2O3 increases the response to H2 at the temperature range from 25 to 550 °C. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | газовые сенсоры |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | оксид галлия |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 811513 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Almaev, Aleksei V. |
9 (RLIN) | 407941 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Nikolaev, Vladimir I. |
9 (RLIN) | 802460 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Butenko, Pavel N. |
9 (RLIN) | 876423 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Stepanov, Sergey I. |
9 (RLIN) | 802461 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Pechnikov, Aleksei I. |
9 (RLIN) | 802462 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Yakovlev, Nikita N. |
9 (RLIN) | 802458 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Sinyugin, Igor |
9 (RLIN) | 811515 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Shapenkov, Sevastian |
9 (RLIN) | 811516 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Scheglov, Mikhail P. |
9 (RLIN) | 811517 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Physica status solidi |
Место и дата издания | 2022 |
Прочая информация | Vol. 259, № 2. P. 2100306 (1-11) |
ISSN | 0370-1972 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000898835">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000898835</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 898835 |
No items available.