Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

On the method of photoconductive detection of defects in semiconductors by vibrational mode-related Fano resonances (Record no. 722049)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 01944nab a2200325 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле koha000722049
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20221025132728.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 211123|2018 xxu s a eng d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1063/1.5037412
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер koha000722049
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
100 1# - Автор
Автор Herklotz, Frank
9 (RLIN) 816135
245 10 - Заглавие
Заглавие On the method of photoconductive detection of defects in semiconductors by vibrational mode-related Fano resonances
Ответственность F. Herklotz, I. Chaplygin, E. V. Lavrov
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 24 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация The method of photoconductive detection of defect-related vibrational modes in semiconductors by Fano resonances is validated by a combined photoconductivity and infrared absorption study of the interstitial hydrogen donor in ZnO. Depth-resolved isotopic substitution experiments with varying concentrations of H and D show that the effect of vibrational mode-related absorption has to be taken into account in order to allow for an unambiguous interpretation of the experimental data. A quantitative model is presented which describes the influence of sample thickness, defect concentration, and the presence of other donors on the sign, magnitude, and shape of the Fano resonances. Implications for the photoconductive detection of defect-related vibrational modes are discussed
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Фано резонанс
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова колебательные моды
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 763949
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Chaplygin, I.
9 (RLIN) 681033
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Lavrov, E. V.
9 (RLIN) 681036
773 0# - Источник информации
Название источника Journal of applied physics
Место и дата издания 2018
Прочая информация Vol. 124, № 2. P. 025704-1-025704-8
ISSN 0021-8979
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000722049">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000722049</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 722049

No items available.