Normal view
MARC view
Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN (Record no. 720812)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 03051nab a2200361 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | koha000720812 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20211101174030.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 211029|2021 ru s c rus d |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.17223/00213411/64/5/9 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | koha000720812 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
100 1# - Автор | |
Автор | Бурмистров, Евгений Романович |
9 (RLIN) | 502181 |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN |
Ответственность | Е. Р. Бурмистров, Л. П. Авакянц, А. М. Афанасова |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | Исследован механизм пьезоэлектрического рассеяния носителей заряда в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с одной заполненной подзоной размерного квантования. Создана математическая модель, с помощью которой можно оценить кинетические параметры двумерного электронного газа в изучаемой структуре. Результаты проведенного расчета матричных потенциалов рассеяния продемонстрировали достоверность и состоятельность на используемой модели промышленных светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN. Показано, что механические напряжения в слоях InGaN/GaN приводят к неравномерному распределению суммарного электрического поля вдоль активного слоя. Установлено, что время релаксации, ограничивающее подвижность двумерного электронного газа при пьезоэлектрическом рассеянии, ~ 10–9 с. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | квантовые ямы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | механические напряжения |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | гетероструктура |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | транспортное время |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | двумерный электронный газ |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | рассеяние |
655 #0 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 681159 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Авакянц, Лев Павлович |
9 (RLIN) | 761448 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Афанасова, Марина Михайловна |
9 (RLIN) | 502182 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Известия высших учебных заведений. Физика |
Место и дата издания | 2021 |
Прочая информация | Т. 64, № 5. С. 9-19 |
ISSN | 0021-3411 |
Контрольный № источника | 0026-80960 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720812">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720812</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 720812 |
No items available.