Normal view
MARC view
Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов (Record no. 539562)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02292nam a2200433 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000492595 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20221003133621.0 |
006 - Дополнительные элементы данных фиксированной длины | |
Контрольное поле постоянной длины | m fo d |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 210203s1968 ru a fsbm 000 0 rus d |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000492595 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
080 ## - Индекс УДК | |
Индекс УДК | 621.382.23:546.289:537.12(043.3) |
080 ## - Индекс УДК | |
Индекс УДК | 621.383.23:546.28:537.12(043.3) |
080 ## - Индекс УДК | |
Индекс УДК | 537.311.322:539.378.3(043.3) |
100 1# - Автор | |
Автор | Агафонников, Виктор Филиппович |
Дата | 1937-2022 |
9 (RLIN) | 418789 |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Влияние давления на параметры полупроводниковых диодов |
Продолж. заглавия | диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук |
Ответственность | В. Ф. Агафонников ; науч. рук. Гаман В. И. ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева |
260 ## - Выходные данные | |
Место издания | Томск |
Издательство | [б. и.] |
Дата издания | 1968 |
300 ## - Физическое описание | |
Объем | 138 л. |
Иллюстрации/тип воспроизводства | рис., табл. |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: л. 131-136 |
506 ## - Ограничения на доступ к материалу | |
Ограничения доступа | Доступ в сети ТГУ |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | диссертации |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | диоды полупроводниковые германиевые |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | диоды полупроводниковые кремниевые |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | энергетические зоны полупроводников |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | носители заряда в полупроводниках |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | электропроводность полупроводников |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | давление анизотропное |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | давление одноосное |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | вольтамперные характеристики |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | p-n переходы |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | диссертации |
9 (RLIN) | 743499 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Гаман, Василий Иванович |
Дата | 1929-2021 |
Код отношения | ths |
9 (RLIN) | 68547 |
710 2# - Другие организации | |
Организация/юрисдикция | Томский государственный университет. |
9 (RLIN) | 53646 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
Код страны | ru |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492595">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492595</a> |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 539562 |
Не выдается | Отсутствует на месте | Поврежден | Исходное место хранения | Местоположение | Дата поступления | Цена | Всего выдач | Расстановочный шифр | Штрих-код | Класс экземпляра |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 06/04/2021 | 50.00 | 2-017559 | 13820000881631 | Выдается в читальный зал |