Normal view
MARC view
Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching (Record no. 515221)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 03021nab a2200409 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000547568 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20210922124233.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 181202|2015 enk s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1016/j.infrared.2015.09.019 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000547568 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching |
| Ответственность | I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovsky [et.al.] |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Results of experimental studies of long-term (∼7 years) stability of electron concentration in HgCdTe-based p–n junctions fabricated with ion etching (IE) are presented. The stability was studied during the storage of ion-etched samples at the room temperature with periodical measurements of carrier concentration and mobility with the use of the Hall effect. It is shown that after ∼103 min after IE electron concentration in un-doped HgCdTe films grown by molecular-beam epitaxy (MBE) on GaAs substrates stabilizes at ∼1015 cm−3 and does not change in 7 years of storage of the films. In contrast to that, in films grown by liquid phase epitaxy and by MBE on Si substrates, electron concentration continues to decrease during all the period of storage and gets lower than 1014 cm−3. For such films, donor doping of the material is recommended, which for indium doping with concentration from 1015 to 1016 cm−3 is shown to be able to keep stable electron concentration for all the studied period of time. In bulk HgCdTe crystal doped with silver, fast re-conversion of the n-region of a p–n junction fabricated with IE back to p-type was observed. The results obtained show some limitations of IE in relation to fabrication of p–n junctions for HgCdTe-based photodetectors, and suggest how these limitations can be avoided. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | теллурид кадмия-ртути |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | ионное травление |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 745982 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Izhnin, Igor I. |
| 9 (RLIN) | 102905 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Korotaev, Alexander G. |
| 9 (RLIN) | 106335 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
| 9 (RLIN) | 102908 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
| 9 (RLIN) | 101527 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
| 9 (RLIN) | 103757 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
| 9 (RLIN) | 102909 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Bonchyk, A. Yu. |
| 9 (RLIN) | 100966 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Savytskyy, Hrygory V. |
| 9 (RLIN) | 102907 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mynbaev, Karim D. |
| 9 (RLIN) | 111823 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Fitsych, Olena I. |
| 9 (RLIN) | 102906 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Infrared physics and technology |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 73. P. 158-165 |
| ISSN | 1350-4495 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547568">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547568</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 515221 |
No items available.