Normal view
MARC view
Hysteresis phenomena in mis structures based on graded-gap MBE HgCdTe with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4 (Record no. 510824)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02111nab a2200313 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000539841 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20210922123117.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 180311|2015 ru s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1007/s11182-015-0532-7 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000539841 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Hysteresis phenomena in mis structures based on graded-gap MBE HgCdTe with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4 |
| Ответственность | A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Capacitance-voltage characteristics (CV characteristics) of MIS structures based on graded-gap MBE Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) with a two-layer plasma-chemical insulator SiO2/Si3N4 are studied under variation of the voltage sweep direction. Special features are revealed in the CV characteristics at the forward and reverse voltage sweeps for MIS structures based on n-HgCdTe and p-HgCdTe. The results obtained suggest that the electron capture by states of the transition layer between the HgCdTe semiconductor and SiO2 insulator plays an important role in the hysteresis phenomena. It is found that if an insulator is applied, the impurity-defect centers of donor type are formed near the interface, whose density of states in the transition layer is (0.6–2.1)·1011 сm–2. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | теллурид кадмия-ртути |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | изоляторы |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 745982 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Nesmelov, Sergey N. |
| 9 (RLIN) | 101528 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dzyadukh, Stanislav M. |
| 9 (RLIN) | 95711 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Russian physics journal |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 58, № 4. P. 540-551 |
| ISSN | 1064-8887 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000539841">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000539841</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 510824 |
No items available.