Normal view
MARC view
Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе (Record no. 505806)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02402nam a2200397 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000451143 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20210922121851.0 |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 130529s1983 ru a f bm 000 0 rus d |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000451143 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
072 #7 - Код предметной/темат. категории | |
Код предметной/темат. категории | 01.04.10 |
Источник кода | nsnr |
080 ## - Индекс УДК | |
Индекс УДК | 537.311.322:538.971(043.3) |
080 ## - Индекс УДК | |
Индекс УДК | 621.315.592.3:620.186.4(043.3) |
100 1# - Автор | |
Автор | Ластовка, Владимир Викторович |
9 (RLIN) | 123526 |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе |
Продолж. заглавия | диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 |
Ответственность | Ластовка Владимир Викторович ; науч. рук. Котляревский М. Б., Носков Д. А. ; Том. ин-т автоматизированных систем управления и радиоэлектроники |
260 ## - Выходные данные | |
Место издания | Томск |
Издательство | [б. и.] |
Дата издания | 1983 |
300 ## - Физическое описание | |
Объем | 132 л. |
Иллюстрации/тип воспроизводства | ил. |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: л. 122-132 |
650 #7 - Тематические рубрики | |
Основная рубрика | Физика полупроводников и диэлектриков |
Источник рубрики | nsnr |
9 (RLIN) | 56418 |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | диссертации |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводниковые материалы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | дефектообразование |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | ионная имплантация полупроводников |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводники селенидцинковые |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводники легированные |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводники широкозонные |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | p-n переходы имплантационные |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | электролюминесценция инжекционная |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | Шоттки барьер |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Котляревский, Марк Борисович |
Код отношения | ths |
9 (RLIN) | 335862 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Носков, Д. А. |
Код отношения | ths |
9 (RLIN) | 524796 |
710 2# - Другие организации | |
Организация/юрисдикция | Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники |
9 (RLIN) | 83139 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
Код страны | ru |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 505806 |
Не выдается | Отсутствует на месте | Поврежден | Исходное место хранения | Местоположение | Дата поступления | Всего выдач | Расстановочный шифр | Штрих-код | Класс экземпляра |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 05/04/2021 | 1-434536 | 13820000843721 | Выдается в читальный зал |