Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе (Record no. 505806)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02402nam a2200397 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000451143
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210922121851.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 130529s1983 ru a f bm 000 0 rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000451143
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
072 #7 - Код предметной/темат. категории
Код предметной/темат. категории 01.04.10
Источник кода nsnr
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 537.311.322:538.971(043.3)
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 621.315.592.3:620.186.4(043.3)
100 1# - Автор
Автор Ластовка, Владимир Викторович
9 (RLIN) 123526
245 10 - Заглавие
Заглавие Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе
Продолж. заглавия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
Ответственность Ластовка Владимир Викторович ; науч. рук. Котляревский М. Б., Носков Д. А. ; Том. ин-т автоматизированных систем управления и радиоэлектроники
260 ## - Выходные данные
Место издания Томск
Издательство [б. и.]
Дата издания 1983
300 ## - Физическое описание
Объем 132 л.
Иллюстрации/тип воспроизводства ил.
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: л. 122-132
650 #7 - Тематические рубрики
Основная рубрика Физика полупроводников и диэлектриков
Источник рубрики nsnr
9 (RLIN) 56418
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова диссертации
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводниковые материалы
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова дефектообразование
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова ионная имплантация полупроводников
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники селенидцинковые
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники легированные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники широкозонные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова p-n переходы имплантационные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электролюминесценция инжекционная
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Шоттки барьер
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Котляревский, Марк Борисович
Код отношения ths
9 (RLIN) 335862
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Носков, Д. А.
Код отношения ths
9 (RLIN) 524796
710 2# - Другие организации
Организация/юрисдикция Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники
9 (RLIN) 83139
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
Код страны ru
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 505806
Holdings
Не выдается Отсутствует на месте Поврежден Исходное место хранения Местоположение Дата поступления Всего выдач Расстановочный шифр Штрих-код Класс экземпляра
      Научная библиотека ТГУ Книгохранилище 05/04/2021   1-434536 13820000843721 Выдается в читальный зал