Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ (Record no. 478333)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 01350naa a2200289 i 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000792711
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210405121149.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 210128s2000 ru f 100 0 rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000792711
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
100 1# - Автор
Автор Волков, А. И.
9 (RLIN) 145836
245 10 - Заглавие
Заглавие Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
Ответственность А. И. Волков
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 2 назв.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова физика полупроводников
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова физика диэлектриков
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова теллурид кадмия-ртути
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова эпитаксиальные пленки
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова труды ученых ТГУ
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова фотоприемники
773 0# - Источник информации
Название источника Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.
Место и дата издания Томск, 2000
Прочая информация С. 88-89
Контрольный № источника 0143-13660
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя Ru-ToGU
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 478333

No items available.