Normal view
MARC view
Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ (Record no. 478333)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 01350naa a2200289 i 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000792711 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20210405121149.0 |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 210128s2000 ru f 100 0 rus d |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000792711 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
100 1# - Автор | |
Автор | Волков, А. И. |
9 (RLIN) | 145836 |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ |
Ответственность | А. И. Волков |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 2 назв. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | физика полупроводников |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | физика диэлектриков |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводники |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | теллурид кадмия-ртути |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | труды ученых ТГУ |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | фотоприемники |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г. |
Место и дата издания | Томск, 2000 |
Прочая информация | С. 88-89 |
Контрольный № источника | 0143-13660 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | Ru-ToGU |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 478333 |
No items available.