Normal view
MARC view
Electronic structure of graphene- and BN-supported phosphorene (Record no. 473988)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02227nab a2200385 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000789473 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20210922110049.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 201202|2018 ne s a eng dd |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1016/j.physb.2018.01.039 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000789473 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Electronic structure of graphene- and BN-supported phosphorene |
Ответственность | A. R. Davletshin, S. V. Ustiuzhanina, A. A. Kistanov [et al.] |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | By using first–principles calculations, the effects of graphene and boron nitride (BN) substrates on the electronic properties of phosphorene are studied. Graphene–supported phosphorene is found to be metallic, while the BN–supported phosphorene is a semiconductor with a moderate band gap of 1.02 eV. Furthermore, the effects of the van der Waals interactions between the phosphorene and graphene or BN layers by means of the interlayer distance change are investigated. It is shown that the interlayer distance change leads to significant band gap size modulations and direct-indirect band gap transitions in the phosphorene–BN heterostructure. The presented band gap engineering of phosphorene may be a powerful technique for the fabrication of high–performance phosphorene–based nanodevices. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | фосфорен |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | графен |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | гетероструктура |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | ширина запрещенной зоны |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 745982 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Ustiuzhanina, Svetlana V. |
9 (RLIN) | 506340 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Kistanov, Andrey A. |
9 (RLIN) | 423629 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Saadatmand, Danial |
9 (RLIN) | 478692 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Dmitriev, Sergey V. |
9 (RLIN) | 102247 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Zhou, Kun |
9 (RLIN) | 420805 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Korznikova, Elena A. |
9 (RLIN) | 106046 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Davletshin, Artur R. |
9 (RLIN) | 506339 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Physica B: Condensed matter |
Место и дата издания | 2018 |
Прочая информация | Vol. 534. P. 63-67 |
ISSN | 0921-4526 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000789473">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000789473</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 473988 |
No items available.