Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Electronic structure of graphene- and BN-supported phosphorene (Record no. 473988)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02227nab a2200385 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000789473
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210922110049.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 201202|2018 ne s a eng dd
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1016/j.physb.2018.01.039
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000789473
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Electronic structure of graphene- and BN-supported phosphorene
Ответственность A. R. Davletshin, S. V. Ustiuzhanina, A. A. Kistanov [et al.]
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
520 3# - Аннотация
Аннотация By using first–principles calculations, the effects of graphene and boron nitride (BN) substrates on the electronic properties of phosphorene are studied. Graphene–supported phosphorene is found to be metallic, while the BN–supported phosphorene is a semiconductor with a moderate band gap of 1.02 eV. Furthermore, the effects of the van der Waals interactions between the phosphorene and graphene or BN layers by means of the interlayer distance change are investigated. It is shown that the interlayer distance change leads to significant band gap size modulations and direct-indirect band gap transitions in the phosphorene–BN heterostructure. The presented band gap engineering of phosphorene may be a powerful technique for the fabrication of high–performance phosphorene–based nanodevices.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова фосфорен
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова графен
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова гетероструктура
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова ширина запрещенной зоны
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 745982
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Ustiuzhanina, Svetlana V.
9 (RLIN) 506340
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Kistanov, Andrey A.
9 (RLIN) 423629
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Saadatmand, Danial
9 (RLIN) 478692
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dmitriev, Sergey V.
9 (RLIN) 102247
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Zhou, Kun
9 (RLIN) 420805
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Korznikova, Elena A.
9 (RLIN) 106046
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Davletshin, Artur R.
9 (RLIN) 506339
773 0# - Источник информации
Название источника Physica B: Condensed matter
Место и дата издания 2018
Прочая информация Vol. 534. P. 63-67
ISSN 0921-4526
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000789473">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000789473</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 473988

No items available.