Normal view
MARC view
Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок (Record no. 450977)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 03152nam a2200529 i 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000652766 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20210910080348.0 |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 190422s1977 ru a f ba 100 0 rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000652766 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 080 ## - Индекс УДК | |
| Индекс УДК | 548.52:621.315.592(063)"1975" |
| 080 ## - Индекс УДК | |
| Индекс УДК | 548.52:539.216:621.315.592(063)"1975" |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок |
| Номер части/раздела | Ч. 2 |
| Продолж. заглавия | [сборник статей] |
| Ответственность | Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Л. Н. Александров |
| 260 ## - Выходные данные | |
| Место издания | Новосибирск |
| Издательство | Наука, Сибирское отделение |
| Дата издания | 1977 |
| 300 ## - Физическое описание | |
| Объем | 357 с. |
| Иллюстрации/тип воспроизводства | ил., табл. |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр. в конце ст. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | рост кристаллов полупроводников |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковые пленки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки, неоднородности |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | сверхструктуры, образование |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кристаллизация тонких пленок |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кристаллизация полупроводников |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | автоэпитаксиальные слои |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кинетика роста кристаллов |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кристаллы нитевидные |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | рост пленок в вакууме |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные слои, выращивание |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки полупроводниковые |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковые пленки, легирование |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки полупроводниковые, дефекты |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксия жидкофазная, примеси |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксия жидкофазная, дефекты |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | дислокации в кристаллах |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | дислокации в монокристаллах |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | монокристаллы полупроводникв |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | примеси в полупроводниках |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | рост кристаллов, методики |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | микронеоднородности полупроводников, исследования |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки, зародышеобразование |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковые кристаллы, неоднородности |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковеы пленки, синтез |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | ионно-плазменное испарение, метод |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Александров, Леонид Наумович. |
| Код отношения | edt |
| 9 (RLIN) | 164708 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| Код страны | ru |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 450977 |
| Не выдается | Отсутствует на месте | Поврежден | Исходное место хранения | Местоположение | Дата поступления | Цена | Всего выдач | Расстановочный шифр | Штрих-код | Дата последней выдачи/возврата | Класс экземпляра |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Научная библиотека ТГУ | Книгохранилище | 05/04/2021 | 3.60 | 1 | 1-286483 | 13820000981770 | 23/03/2022 | 1 месяц |