Normal view
MARC view
Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si (Record no. 433902)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02943naa a2200373 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000627424 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230131165654.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 180521s2017 ru fs 100 0 rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000627424 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Лозовой, Кирилл Александрович |
| 9 (RLIN) | 90985 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si |
| Ответственность | К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский |
| 246 11 - Заглавие тома/части | |
| Заглавие тома/части | Calculation of а critical thickness of Stranski-Krastanow transition in GeSi/Sn/Si system |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в этой системе предлагается теоретическая модель, основанная на общей теории нуклеации островков, учитывающая зависимости модуля упругости, рассогласования решеток и удельной поверхностной энергии боковых граней от состава х, а также изменение коэффициента диффузии адатомов в присутствии олова. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | квантовые точки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кремний |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | германий |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | олово |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | наногетероструктуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | Странского-Крастанова переход |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | критическая толщина |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в сборниках |
| 9 (RLIN) | 713576 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Коханенко, Андрей Павлович |
| 9 (RLIN) | 65555 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Войцеховский, Александр Васильевич |
| 9 (RLIN) | 64789 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов |
| Место и дата издания | Томск, 2017 |
| Прочая информация | С. 257-260 |
| ISBN | 9785936296062 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000627424">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000627424</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 433902 |
No items available.