Normal view
MARC view
Influence of the composition on the thermoelectric and electro-physical properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory application (Record no. 433569)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02329nab a2200385 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000623885 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230303172409.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 180402|2016 un s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.21272/jnep.8(3).03033 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000623885 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Influence of the composition on the thermoelectric and electro-physical properties of Ge-Sb-Te thin films for phase change memory application |
| Ответственность | P. I. Lazarenko, A. A. Sherchenkov, S. A. Kozyukhin [et.al.] |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Influence of the composition variation along the quasi-binary line GeTe-Sb2Te3 on the thermoelectric and electro-physical properties of thin films was investigated. GST amorphous thin films have high Seebeck coefficients, which drops nearly on the order of magnitude after the crystallization. Temperature dependences of the resistivities were studied, and it was determined that crystallization temperature increases with moving along the quasi-binary line GeTe-Sb2Te3 from GeSb4Te7 to GeSb2Te4, and then to Ge2Sb2Te5, while the phase transition temperature range decreases. Current-voltage characteristics of amorphous thin films have three voltage ranges with different dependencies due to the different mechanisms of charge carrier transport. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | тонкие пленки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | термоэлектрические свойства |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | электрофизические свойства |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 745982 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Lazarenko, Petr I. |
| 9 (RLIN) | 481682 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kozyukhin, Sergey A. |
| 9 (RLIN) | 437926 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Terekhov, D. Y. |
| 9 (RLIN) | 481683 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakubov, A. O. |
| 9 (RLIN) | 481684 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Babich, A. V. |
| 9 (RLIN) | 481685 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Shuliatyev, A. S. |
| 9 (RLIN) | 481686 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Sagunova, I. V. |
| 9 (RLIN) | 481687 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Redichev, E. N. |
| 9 (RLIN) | 481688 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Sherchenkov, Alexey A. |
| 9 (RLIN) | 877817 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of nano- and electronic physics |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Vol. 8, № 3. P. 03033-1-03033-4 |
| ISSN | 2077-6772 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623885">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623885</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 433569 |
No items available.