Normal view
MARC view
Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy (Record no. 422052)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02231nab a2200325 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000577713 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20210907031639.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 170619|2015 xxu s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1166/jno.2015.1714 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000577713 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy |
| Ответственность | V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, V. A. Zinovyev [et.al.] |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Nanoscale structures such as quantum wells, quantum wires, quantum dots and quantum fortresses are obtained by molecular beam epitaxy (MBE) technique. Various surface morphology was controlled by changing of growth parameters. Formation of Ge quantum dots in hut-island form is observed during deposition of Ge on Si film or GeSi solid solution layer in temperature range between 300 and 500 °C. Density of Ge islands without use of surfactant reaches 3.5 · 1011 cm–2 at lateral size of 12 nm. Lowering growth temperature up to 300 °C emergence of quantum fortress array takes place at deposition of Ge on GeSi solid solution layer. By depositing a Ge wetting layer at thickness of 3–5 monolayers and subsequent continuous annealing we have obtained nano-structures in form of wires. The results of these studies are of great applied value in the field of infrared photodetectors and single-hole transistors. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | наноразмерные структуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 681159 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Timofeev, V. A. |
| 9 (RLIN) | 357106 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Zinovyev, V. A. |
| 9 (RLIN) | 474995 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Teys, S. A. |
| 9 (RLIN) | 474996 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Pchelyakov, Oleg P. |
| 9 (RLIN) | 417760 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Nikiforov, Alexander I. |
| 9 (RLIN) | 95710 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of nanoelectronics and optoelectronics |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 10, № 1. P. 99-103 |
| ISSN | 1555-130X |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577713">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577713</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 422052 |
No items available.