Normal view
MARC view
Investigation of surface potential in the V-defect region of MBE CdxHg1−xTe film (Record no. 421295)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 01959nab a2200313 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000577693 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20221128174146.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 170619|2015 ru s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1134/S106378261503015X |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000577693 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Novikov, Vadim A. |
| 9 (RLIN) | 96879 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Investigation of surface potential in the V-defect region of MBE CdxHg1−xTe film |
| Ответственность | V. A. Novikov, D. V. Grigoryev |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Atomic-force microscopy is used to investigate the distribution of the contact-potential difference (surface potential) in Cd x Hg1 − x Te epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy. Modification of the solid-solution composition near the V-defect results in a variation in the contact-potential difference. It is shown that the solid-solution composition varies by ∼0.05 (2.5 at %) towards increasing mercury content in the V-defect region, and a region of mercury depletion by 0.36 at % is observed at the V-defect periphery. From analysis of the surface-potential distribution, it is shown that the Cd x Hg1 − x Te epitaxial film contains unform V-defects with a diameter less than 1 μm in addition to macroscopic V-defects. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | поверхностный потенциал |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | v-дефекты |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 681159 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Grigoryev, Denis V. |
| 9 (RLIN) | 101525 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Semiconductors |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 49, № 3. P. 309-312 |
| ISSN | 1063-7826 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577693">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577693</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 421295 |
No items available.