Normal view
MARC view
Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока (Record no. 421255)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 03201nab a2200373 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000577393 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20220906113352.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 170613|2015 ru s c rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000577393 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока |
| Ответственность | И. А. Прудаев, В. В. Копьев, И. С. Романов, В. Н. Брудный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 10 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных<br/>структур «синего» диапазона длин волн на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN при различной силе<br/> прямого тока. Установлено, что в области высоких плотностей тока наблюдается увеличение квантового выхода<br/> при росте температуры. Моделирование зависимостей квантового выхода светодиодных структур от силы проте-<br/> кающего тока показало, что при учете баллистического и прыжкового транспорта носителей заряда в активной<br/> области структуры расчетные и экспериментальные зависимости согласуются. Показано, что уменьшение тол-<br/> щины активной области структуры приводит к ослаблению зависимости квантового выхода от температуры при<br/> высокой плотности тока. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | нитрид галлия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | множественные квантовые ямы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | носители заряда |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | светодиоды |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | квантовая эффективность |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | температурная зависимость |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | баллистический транспорт |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | плотность тока |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 681159 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Прудаев, Илья Анатольевич |
| 9 (RLIN) | 81475 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Романов, Иван Сергеевич |
| 9 (RLIN) | 88038 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Брудный, Валентин Натанович |
| 9 (RLIN) | 72071 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Копьев, Виктор Васильевич |
| 9 (RLIN) | 92396 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Известия высших учебных заведений. Физика |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Т. 58, № 5. С. 53-56 |
| ISSN | 0021-3411 |
| Контрольный № источника | 0026-80960 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577393">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577393</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 421255 |
No items available.