Normal view
MARC view
Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires (Record no. 406801)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02050nab a2200313 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000581434 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20210907025944.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 170905|2015 ne s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1016/j.jcrysgro.2015.07.005 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000581434 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Filimonov, Sergey N. |
| 9 (RLIN) | 89121 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Model of step propagation and step bunching at the sidewalls of nanowires |
| Ответственность | S. N. Filimonov, Y. Y. Hervieu |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 35 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Radial growth of vertically aligned nanowires involves formation and propagation of monoatomic steps at atomically smooth nanowire sidewalls. Here we study the step dynamics with a step flow model taking into account the presence of a strong sink for adatoms at top of the nanowire and adatom exchange between the nanowire sidewall and surrounding substrate surface. Analytical expressions for velocities of steps propagating from the nanowire base to the nanowire top are obtained. It is shown that the step approaching the nanowire top will slow down if the top nanowire facet is a stronger sink for adatoms than the sidewall step. This might trigger bunching of the steps at the sidewall resulting in development of the pencil-like shape of nanowires such as observed in, e.g., the Au-assisted MBE growth of InAs. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | наноструктуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | поверхностные процессы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | модели роста |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 681159 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Hervieu, Yurij Yurevich |
| 9 (RLIN) | 93226 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of crystal growth |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 427. P. 60-66 |
| ISSN | 0022-0248 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000581434">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000581434</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 406801 |
No items available.