Normal view
MARC view
Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge (Record no. 405130)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02733nab a2200313 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000547241 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230131165658.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 170613|2015 ru s c rus d |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000547241 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
100 1# - Автор | |
Автор | Лозовой, Кирилл Александрович |
9 (RLIN) | 90985 |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Моделирование роста квантовых точек Ge на Si с учетом энергии образования дополнительных ребер и зависимости удельной поверхностной энергии от количества осажденного Ge |
Ответственность | К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины смачивающего слоя германия и вклад энергии образования дополнительных ребер в изменение свободной энергии при формировании квантовой точки. Рассчитываются функция свободной энергии при переходе атомов из смачивающего слоя в островок, критическая толщина перехода от двумерного к трехмерному росту, поверхностная плотность и функция распределения островков по размерам. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | германий |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | кремний |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | квантовые точки |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 681159 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Коханенко, Андрей Павлович |
9 (RLIN) | 65555 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Войцеховский, Александр Васильевич |
9 (RLIN) | 64789 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Известия высших учебных заведений. Физика |
Место и дата издания | 2015 |
Прочая информация | Т. 58, № 8/3. С. 231-234 |
ISSN | 0021-3411 |
Контрольный № источника | 0026-80960 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 7# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547241">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547241</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 405130 |
No items available.