Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Электрические и фотоэлектрические свойства GaP, InP МДП структур (Record no. 395567)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 00936nam a2200205 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000535342
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20220620084503.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 160606s1984 tk f bm 000 0 rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000535342
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
100 1# - Автор
Автор Чарыев, Янгибай
9 (RLIN) 443465
245 10 - Заглавие
Заглавие Электрические и фотоэлектрические свойства GaP, InP МДП структур
Продолж. заглавия автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Ответственность Чарыев Янгибай
260 ## - Выходные данные
Место издания Ашхабад
Издательство [б. и.]
Дата издания 1984
300 ## - Физическое описание
Объем 16 с.
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: с. 15-16
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова авторефераты диссертаций
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
Код страны ru
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 395567
Holdings
Не выдается Отсутствует на месте Поврежден Исходное место хранения Местоположение Дата поступления Всего выдач Расстановочный шифр Штрих-код Класс экземпляра
      Научная библиотека ТГУ Книгохранилище 04/04/2021   1-474795 13820000931895 Выдается в читальный зал