Normal view
MARC view
Positronics of radiation-induced effects in chalcogenide glassy semiconductors (Record no. 391392)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02076nab a2200337 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000532370 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20210907024346.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 181202|2015 ru s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1134/S1063782615030197 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000532370 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Positronics of radiation-induced effects in chalcogenide glassy semiconductors |
| Ответственность | O. Shpotyuk, S. A. Kozyukhin, M. Shpotyuk [et.al.] |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 38 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Using As2S3 and AsS2 glasses as an example, the principal possibility of using positron annihilation spectroscopy methods for studying the evolution of the free volume of hollow nanoobjects in chalcogenide glassy semiconductors exposed to radiation is shown. The results obtained by measurements of the positron annihilation lifetime and Doppler broadening of the annihilation line in reverse chronological order are in full agreement with the optical spectroscopy data in the region of the fundamental absorption edge, being adequately described within coordination defect-formation and physical-aging models. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | позитронная аннигиляционная спектроскопия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводники |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 681159 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Shpotyuk, O. |
| 9 (RLIN) | 440988 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Shpotyuk, M. |
| 9 (RLIN) | 440989 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Ingram, A. |
| 9 (RLIN) | 440990 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Szatanik, R. |
| 9 (RLIN) | 440991 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kozyukhin, Sergey A. |
| 9 (RLIN) | 437926 |
| 710 2# - Другие организации | |
| Организация/юрисдикция | Томский государственный университет |
| Другие уровни | Химический факультет |
| -- | Кафедра неорганической химии |
| 9 (RLIN) | 74979 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Semiconductors |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 49, № 3. P. 298-304 |
| ISSN | 1063-7826 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000532370">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000532370</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 391392 |
No items available.