Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Oxygen incorporation into GST phase-change memory matrix (Record no. 387835)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02674nab a2200385 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000526698
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210907024041.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 181202|2015 xxu s a eng dd
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1016/j.apsusc.2015.01.203
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000526698
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Oxygen incorporation into GST phase-change memory matrix
Ответственность R. Golovchak, Y. G. Choi, S. A. Kozyukhin [et.al.]
520 3# - Аннотация
Аннотация Structural changes in amorphous and crystallized GST-225 films induced by the reaction with oxygen are studied at different depth scales. The mechanism of interaction of the very top surface layers with oxygen is studied with low-energy ion scattering (LEIS) technique, while the modifications of chemistry in the underlying surface layers are investigated with high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The changes averaged through the overall film thickness are characterized by micro-Raman spectroscopy. The oxygen exposure leads to a depletion of GST-225 film surfaces in Te and formation of the antimony and germanium oxides. The antimony oxide complexes are found throughout the whole thickness of the films after their prolonged storage in air, whereas no evidence for formation of pure GeO2 phase is found in the volume of the films through Raman spectroscopy. A tendency to form Ge-rich phase within the ∼10 nm surface layer is additionally observed by LEIS profiling during crystallization of GST-225 film at 300 °C in oxygen atmosphere.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова рамановская спектроскопия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова рассеяние ионов малой энергии
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова халькогенидное стекло
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 681159
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Golovchak, R.
9 (RLIN) 438418
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Kozyukhin, Sergey A.
9 (RLIN) 437926
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Chigirinsky, Yu.
9 (RLIN) 438419
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Kovalskiy, A.
9 (RLIN) 438420
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Xiong-Skiba, P.
9 (RLIN) 438421
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Trimble, J.
9 (RLIN) 438422
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Pafchek, R.
9 (RLIN) 438423
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Jain, H.
9 (RLIN) 438424
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Choi, Y. G.
9 (RLIN) 438425
710 2# - Другие организации
Организация/юрисдикция Томский государственный университет
Другие уровни Химический факультет
-- Кафедра неорганической химии
9 (RLIN) 74979
773 0# - Источник информации
Название источника Applied surface science
Место и дата издания 2015
Прочая информация Vol. 332. P. 533-541
ISSN 0169-4332
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 7# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000526698">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000526698</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 387835

No items available.