Normal view
MARC view
Oxygen incorporation into GST phase-change memory matrix (Record no. 387835)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02674nab a2200385 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000526698 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20210907024041.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 181202|2015 xxu s a eng dd |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1016/j.apsusc.2015.01.203 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000526698 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Oxygen incorporation into GST phase-change memory matrix |
Ответственность | R. Golovchak, Y. G. Choi, S. A. Kozyukhin [et.al.] |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | Structural changes in amorphous and crystallized GST-225 films induced by the reaction with oxygen are studied at different depth scales. The mechanism of interaction of the very top surface layers with oxygen is studied with low-energy ion scattering (LEIS) technique, while the modifications of chemistry in the underlying surface layers are investigated with high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The changes averaged through the overall film thickness are characterized by micro-Raman spectroscopy. The oxygen exposure leads to a depletion of GST-225 film surfaces in Te and formation of the antimony and germanium oxides. The antimony oxide complexes are found throughout the whole thickness of the films after their prolonged storage in air, whereas no evidence for formation of pure GeO2 phase is found in the volume of the films through Raman spectroscopy. A tendency to form Ge-rich phase within the ∼10 nm surface layer is additionally observed by LEIS profiling during crystallization of GST-225 film at 300 °C in oxygen atmosphere. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | рамановская спектроскопия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | рассеяние ионов малой энергии |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | халькогенидное стекло |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 681159 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Golovchak, R. |
9 (RLIN) | 438418 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Kozyukhin, Sergey A. |
9 (RLIN) | 437926 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Chigirinsky, Yu. |
9 (RLIN) | 438419 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Kovalskiy, A. |
9 (RLIN) | 438420 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Xiong-Skiba, P. |
9 (RLIN) | 438421 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Trimble, J. |
9 (RLIN) | 438422 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Pafchek, R. |
9 (RLIN) | 438423 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Jain, H. |
9 (RLIN) | 438424 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Choi, Y. G. |
9 (RLIN) | 438425 |
710 2# - Другие организации | |
Организация/юрисдикция | Томский государственный университет |
Другие уровни | Химический факультет |
-- | Кафедра неорганической химии |
9 (RLIN) | 74979 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Applied surface science |
Место и дата издания | 2015 |
Прочая информация | Vol. 332. P. 533-541 |
ISSN | 0169-4332 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 7# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000526698">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000526698</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 387835 |
No items available.