Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Влияние модификации покровного слоя на свойства водородочувствительных диодных квантово-размерных гетероструктур Pd/GaAs/InGaAs (Record no. 308686)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 01363naa a2200265 i 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000418787
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210404141446.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 120109s2006 ru a f 100 0 rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000418787
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 537.311.322:546.681'191.1
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 621.315.592:546.681'191.1
245 10 - Заглавие
Заглавие Влияние модификации покровного слоя на свойства водородочувствительных диодных квантово-размерных гетероструктур Pd/GaAs/InGaAs
Ответственность С. В. Тихов, И. А. Карпович, Ю. Ю. Гущина, И. А. Андрюшенко
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 4 назв.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова гетероструктуры
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Тихов, С. В.
9 (RLIN) 379137
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Карпович, И. А.
9 (RLIN) 379136
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Гущина, Ю. Ю.
9 (RLIN) 379386
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Андрющенко, И. А.
9 (RLIN) 379387
773 0# - Источник информации
Название источника Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции
Место и дата издания Томск, 2006
Прочая информация С. 553-556
Контрольный № источника to000223791
852 ## - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 308686

No items available.