Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Фотоэлектрические характеристики монокристаллов высокоомного GaAs (Record no. 308219)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 01527naa a2200289 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000418886
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230310121756.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 120109s2006 ru a f 100 0 rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000418886
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 537.311.322:546.681'191.1
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 621.315.592:546.681'191.1
245 10 - Заглавие
Заглавие Фотоэлектрические характеристики монокристаллов высокоомного GaAs
Ответственность Д. Л. Будницкий, О. Б. Корецкая, В. А. Новиков, О. П. Толбанов
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 7 назв.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова монокристаллы
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова фотоэлектрические характеристики
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова труды ученых ТГУ
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Будницкий, Давыд Львович
9 (RLIN) 83614
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Корецкая, Ольга Борисовна
9 (RLIN) 86741
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Новиков, Вадим Александрович.
9 (RLIN) 83069
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Толбанов, Олег Петрович
9 (RLIN) 67379
773 0# - Источник информации
Название источника Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции
Место и дата издания Томск, 2006
Прочая информация С. 70-73
Контрольный № источника to000223791
852 ## - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 308219

No items available.