Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Теоретическое исследование кинетики послойного роста кристаллов полупроводников из многокомпонентной газовой фазы (Record no. 269230)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 03117nam a2200481 i 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000386965
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20221227122316.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 100520s1989 ru a f bm 000 0 rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000386965
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
072 #7 - Код предметной/темат. категории
Код предметной/темат. категории 01. 04. 07
Источник кода nsnr
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 548.522:621.315.592(043.3)
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 541.124:541.123.7(043.3)
100 1# - Автор
Автор Эрвье, Юрий Юрьевич
9 (RLIN) 82636
245 10 - Заглавие
Заглавие Теоретическое исследование кинетики послойного роста кристаллов полупроводников из многокомпонентной газовой фазы
Продолж. заглавия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Ответственность Эрвье Юрий Юрьевич ; науч. рук.: Лаврентьева Л. Г., Рузайкин М. П. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева
260 ## - Выходные данные
Место издания Томск
Издательство [б. и.]
Дата издания 1989
300 ## - Физическое описание
Объем 160 л.
Иллюстрации/тип воспроизводства ил.
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: л. 149 - 160
650 #7 - Тематические рубрики
Основная рубрика физика твердого тела
Источник рубрики nsnr
9 (RLIN) 54389
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова диссертации
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова рост кристаллов полупроводников послойный
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова рост кристаллов полупроводников в газовой фазе
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кристаллы многокомпонентные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Косселя кристалл с примесью
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кристаллы однокомпонентные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова стехиометрия кристаллов
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кремний, рост кристаллов
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова арсенид галлия, рост кристаллов
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кристаллизация, кинетические коэффициенты
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кристаллы бинарные, кинетика захвата примеси
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова примеси в кристаллах бинарных
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова дефекты кристаллов
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова скорость роста кристаллов бинарных
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова легирование кристаллов полупроводников
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова химическая кинетика, формализм
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова модель марковского процесса необратимого встраивания частиц в излом (рост кристаллов)
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Лаврентьева, Людмила Германовна
Дата 1931-2008
Код отношения ths
9 (RLIN) 63851
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Рузайкин, Михаил Петрович
Код отношения ths
9 (RLIN) 82637
710 2# - Другие организации
Организация/юрисдикция Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)
9 (RLIN) 76047
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
Код страны ru
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 269230
Holdings
Не выдается Отсутствует на месте Поврежден Исходное место хранения Местоположение Дата поступления Всего выдач Расстановочный шифр Штрих-код Класс экземпляра
      Научная библиотека ТГУ Книгохранилище 04/04/2021   1-699034к 13820000719671 Выдается в читальный зал