Normal view
MARC view
Effect of van der Waals interactions on the structural and binding properties of GaSe (Record no. 226662)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02390nab a2200325 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000552001 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20210907001526.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 181202|2015 xxu s a eng dd |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1016/j.jssc.2015.09.002 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000552001 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
100 1# - Автор | |
Автор | Sarkisov, Sergey Yu. |
9 (RLIN) | 90532 |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Effect of van der Waals interactions on the structural and binding properties of GaSe |
Ответственность | S. Y. Sarkisov, A. V. Kosobutsky, S. D. Shandakov |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 38 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | The influence of van der Waals interactions on the lattice parameters, band structure, elastic moduli and binding energy of layered GaSe compound has been studied using projector-augmented wave method within density functional theory. We employed the conventional local/semilocal exchange-correlation functionals and recently developed van der Waals functionals which are able to describe dispersion forces. It is found that application of van der Waals density functionals allows to substantially increase the accuracy of calculations of the lattice constants a and c and interlayer distance in GaSe at ambient conditions and under hydrostatic pressure. The pressure dependences of the a-parameter, Ga–Ga, Ga–Se bond lengths and Ga–Ga–Se bond angle are characterized by a relatively low curvature, while c(p) has a distinct downward bowing due to nonlinear shrinking of the interlayer spacing. From the calculated binding energy curves we deduce the interlayer binding energy of GaSe, which is found to be in the range 0.172–0.197 eV/layer (14.2–16.2 meV/Å2). |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | Ван-дер-Ваальса взаимодействия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | селенид галлия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | структурные свойства |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводники |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 681159 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Kosobutsky, Alexey V. |
9 (RLIN) | 100192 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Shandakov, Sergey D. |
9 (RLIN) | 101084 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Journal of solid state chemistry |
Место и дата издания | 2015 |
Прочая информация | Vol. 232. P. 67-72 |
ISSN | 0022-4596 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 7# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552001">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552001</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 226662 |
No items available.