Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Effect of van der Waals interactions on the structural and binding properties of GaSe (Record no. 226662)

MARC details
000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02390nab a2200325 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000552001
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210907001526.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 181202|2015 xxu s a eng dd
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1016/j.jssc.2015.09.002
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000552001
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
100 1# - Автор
Автор Sarkisov, Sergey Yu.
9 (RLIN) 90532
245 10 - Заглавие
Заглавие Effect of van der Waals interactions on the structural and binding properties of GaSe
Ответственность S. Y. Sarkisov, A. V. Kosobutsky, S. D. Shandakov
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 38 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация The influence of van der Waals interactions on the lattice parameters, band structure, elastic moduli and binding energy of layered GaSe compound has been studied using projector-augmented wave method within density functional theory. We employed the conventional local/semilocal exchange-correlation functionals and recently developed van der Waals functionals which are able to describe dispersion forces. It is found that application of van der Waals density functionals allows to substantially increase the accuracy of calculations of the lattice constants a and c and interlayer distance in GaSe at ambient conditions and under hydrostatic pressure. The pressure dependences of the a-parameter, Ga–Ga, Ga–Se bond lengths and Ga–Ga–Se bond angle are characterized by a relatively low curvature, while c(p) has a distinct downward bowing due to nonlinear shrinking of the interlayer spacing. From the calculated binding energy curves we deduce the interlayer binding energy of GaSe, which is found to be in the range 0.172–0.197 eV/layer (14.2–16.2 meV/Å2).
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Ван-дер-Ваальса взаимодействия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова селенид галлия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова структурные свойства
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 681159
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Kosobutsky, Alexey V.
9 (RLIN) 100192
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Shandakov, Sergey D.
9 (RLIN) 101084
773 0# - Источник информации
Название источника Journal of solid state chemistry
Место и дата издания 2015
Прочая информация Vol. 232. P. 67-72
ISSN 0022-4596
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 7# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552001">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552001</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 226662

No items available.