Normal view
MARC view
Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers E. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.]
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | эпитаксиальные слои | арсенид галлия | Шоттки барьер | детекторы ионизирующей радиации | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 263-265No physical items for this record
Библиогр.: 3 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.