Normal view
MARC view
Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP В. Н. Брудный, В. А. Новиков
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | облученные кристаллы | фосфид галлия | чувствительность кристаллов | облучение электронами | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 241-243No physical items for this record
Библиогр.: 4 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.