Normal view
MARC view
Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа С. С. Хлудков
Material type: ArticleSubject(s): полупроводниковые приборы | полупроводниковые структуры | арсенид галлия | диффузионное легирование | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 37-40No physical items for this record
Библиогр.: 14 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.