Normal view
MARC view
Получение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава А. В. Марков
Material type: ArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | Чохральского метод | полуизолирующий арсенид галлия | жидкостная герметизация расплава In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 76-77No physical items for this record
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.