Normal view
MARC view
Электрические и фотоэлектрические свойства GaP p-n переходов и оценка перспектив их практического применения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.01 Хайдаров Пайгамберкулы
Material type:
TextPublication details: Ашхабад [б. и.] 1977Description: 17 сSubject(s): Экспериментальная физика (физика полупроводников) | авторефераты диссертаций
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 1-246320 (Browse shelf(Opens below)) | Available | 13820000909981 |
Диссертация написана на русском языке
Библиогр.: с. 15-17
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.