Normal view
MARC view
Рентгенотопографические исследования дислокационной структуры эпитаксиальных слоев GeSi, выращенных на вицинальных подложках Si (001) А. Ю. Красотин, А. В. Колесников, Е. М. Труханов и др.
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | физика диэлектриков | эпитаксиальные слои | рентгенотопографические исследования | дислокации несоответствия In: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, Россия С. 199-202No physical items for this record
Библиогр.: 8 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.