Normal view
MARC view
Осциллисторные сенсоры: преимущества, разработки и пути развития В. И. Гаман, П. Н. Дробот
Material type: ArticleSubject(s): осциллисторные сенсоры | труды ученых ТГУ In: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции С. 549-552No physical items for this record
Библиогр.: 1 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.