Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Image from Google Jackets
Normal view MARC view

Исследование характеристик полевого транзистора с p - n переходом в качестве затвора методическое пособие сост. В. И. Гаман ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак.

Contributor(s): Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 [com] | Томский государственный университет Радиофизический факультетMaterial type: TextTextPublication details: Томск [б. и.] 2004Description: 15 с. илSubject(s): учебные пособия для вузов | транзисторы полевые с p-n переходом | сила тока | напряжение | вольт-амперные характеристики | сигналы переменные малой амплитуды | частотные свойства транзистора полевого
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
Holdings
Item type Current library Call number Copy number Status Date due Barcode
Выдается в читальный зал Научная библиотека ТГУ Отдел рукописей и книжных памятников В-25863 621.3 (Browse shelf(Opens below)) 1 Available 13820000468054

Библиогр.: с. 14

There are no comments on this title.

to post a comment.