Normal view
MARC view
Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.
Material type: ArticleSubject(s): теллурид кадмия-ртути | МДП-структуры | молекулярно-лучевая эпитаксияGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов С. 135No physical items for this record
Библиогр.: 4 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.